铭普光磁获颁一项创造专利可进步端面耦合器转化功率

　　12月17日，铭普光磁发布了重要的公告称，公司于近来获得一项中华人民共和国国家知识产权局颁布的创造专利证书，证书号：第7608651号，创造称号：一种端面耦合器及其制备办法，专利号：ZL2.0，专利类型：创造专利，授权公告日：2024年12月17日。

　　据介绍，本创造公开了一种端面耦合器及其制备办法，触及光通信技术领域，本创造的端面耦合器,包含硅衬底以及层叠设置于硅衬底上的下包层和上包层，下包层和上包层之间设置有同向光传输的榜首波导和第二波导，第二波导在榜首波导的相对两边对称设置，榜首波导包含沿光传达方向衔接的榜首锥波导和榜首直波导，榜首锥波导的锥尾与榜首直波导的衔接，第二波导包含沿光传达方向宽度逐步增大的双层锥波导、第二直波导和沿光传达方向宽度逐步减小的第二锥波导，榜首锥波导的锥尖与第二锥波导的锥尾平齐，双层锥波导包含第二锥体和层叠设置于第二锥体上的榜首锥体。本创造供给的端面耦合器，可以下降锥尖宽度对耦合损耗的约束，进步端面耦合器的转化功率。

　　铭普光磁表明，上述创造专利的获得不会对公司生产经营构成严重影响，但有利于充沛的发挥公司自主知识产权优势，完善知识产权维护系统，对公司开拓市场及推行产品发生活跃的影响，构成继续立异机制，进步公司中心竞争力。