Panasonic电工PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器的概要

　　的优势被广泛了解，人们将其用于信息通讯设备、OA设备、FA设备及其他广泛的范畴。为满意群众进一步的需求，本公司开宣布了“可经过机械完成、并具有一切触点构成(b触点、c触点)”的PhotoMOS

　　这种DSD法是在以往出产增强型功率MOSFET时所运用的两层分散法中，增加了可选择性地将杂质部分分散的技能，且该办法在补偿沟道杂质浓度的一起，构成与基板浓度相同的低浓度的浅层。图1为两者赛璐珞部分截面结构图的比较。

　　如图2所示，该功率MOSFET在栅极电压为0且为低导通电阻(Typ.18Ω)时，可坚持杰出的导通状况，可是一旦在栅极施加细小的附加电压，即会呈现出高耐压(400V以上)的高绝缘性(低漏电流：1μA以下)(如图3所示)。

　　这种高耐压、低导通电阻功能本来为二律背反联系，故在传统的增强型功率MOSFET中就现已需求高度的技能水平，因而该功能在耗尽型功率MOSFET中可以得以完成可以说是具有了划时代含义。

　　b触点型PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器是经过装备这种耗尽型功率MOSFET而完成的产品。对传统的a触点型PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器(AQV214)和b 触点型PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器(AQV414)做一比较，可看出肯定最大额定值及其他功能均无大异。因而，可经过组合两种产品来构成电路，使其在更广泛的范畴得以运用。

　　如表1所示，PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器分为8大类，依据各种类型的产品的专长可用于不同的范畴。

　　综上所述，PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器不只摒弃了传统的机械型继电器所负载的“灵敏度差”、“宣布运作动静”、“因开闭形成产品寿数有限”等缺点，并且还具有一般的SSD可控硅输出光电耦合器所不具备的高电压操控、低导通电阻、b触点回路、AD/DC兼用通电、低漏电流等杰出的特性，再加上其能被用于电信、通讯设备、OA设备、自动检针、防盗·防灾设备、ME设备、丈量仪器等广泛范畴，因而PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器在往后的快速地开展将令人拭目而待!